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高真空离子束溅射设备原理

时间:2019-07-19 23:25来源:未知 作者:admin 点击:
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  可选中1个或多个下面的关键词,搜索相关资料。也可直接点“搜索资料”搜索整个问题。

  展开全部离子束刻蚀分为物理离子束刻蚀和反应离子束刻蚀。(Ga 原子量69.72),当高能束轰击样品时,动量会传递给样品中的原子或者分子,产生溅射效应。选择合适的离子束流,可以对不同材料的样品实施告诉微区刻蚀。利用聚焦离子束可以对纳米级材料如,氧化锌纳米带进行加工,可以在光纤上刻蚀周期结构图案。如将一些卤化物气体直接导向样品表面,在离子束轰击下,可以实现增强刻蚀:高能离子束将气体等离子化-活化, 这些基团与样品物质发生化学反应后的物质是易挥发性的,当脱离样品表面时,就被真空抽走了。反应离子刻蚀技术在刻蚀速率,材料的选择性,深孔测壁的垂直性商,都比物理离子束刻蚀有大幅度提高参考资料:

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